Berechnung Leitfähigkeit Si < Elektrotechnik < Ingenieurwiss. < Vorhilfe
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(Frage) beantwortet  | | Datum: | 22:43 Mi 10.12.2008 | | Autor: | skyloop |
| Aufgabe | Ein Silizium-Kristall sei mit [mm] Nd=10^{16} cm^{-3} [/mm] homogen dotiert.
Welche spezifische Leitfähigkeit hat das Material? |
Ich habe diese Frage in keinem Forum auf anderen Internetseiten gestellt.
Meine Mein Lösungsansatz st :
Si ni (Eigenleitungsdichte )ist 1,14*10´10cm´-3
Si qn = 1350
Si qp = 480
el.Leitfähigkeit ist = e *n *qn+ e*p*qp
e=1,6*10´19 AS(Elementarladung)
n= Anzahl freier Elektronen
p= Anzahl freier Elektronen
qn=Beweglichkeit der Elektronen
qp=Beweglichkeit der Löcher
Kann mir jemand einen Hinweis geben ?
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(Antwort) fertig  | | Datum: | 01:37 Do 11.12.2008 | | Autor: | SLe |
Die Konzentration der Elektronen n entspricht der Donatorkonzentration [mm] N_{d}. [/mm] Die Konzentration der Löcher ist wesentlich kleiner (in etwa Größenordnung [mm] 10^{4} cm^{-3}, [/mm] wegen [mm] p*n=n_{i}^{2}) [/mm] als die der Elektronen und kann vernachlässigt werden.
Also:
el. Leitfähigkeit [mm] \sigma [/mm] = e * n * [mm] \mu_{n}
[/mm]
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