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Hallo,
ich betrachte für einen Halbleiter ein Elektron-Loch-Plasma für den Fall kleiner Dichten. Dann gilt unterliegen die Elektronen der BoltzmannVerteilung (klassischer Grenzfall).
Diese lautet:
[mm] f(k)=(e^{\beta(\epsilon(k)-\mu)})^{-1}.
[/mm]
dabei ist [mm] \mu [/mm] das chemische Potential und [mm] \epsilon(k) [/mm] die Dispersionsrelation, für die gilt:
[mm] \epsilon(k)=\frac{\hbar k^{2}}{2m},
[/mm]
(m ist die Elektronenmasse).
Nun möchte ich zusätzlich eine statische Abschirmung mit berücsichtigen, sagen wir mal diese steckt in "A".
Kann ich dann einfach sagen, dass ich dieses "A" mit in den Exponenten aufnehme, also:
[mm] f(k)=(e^{\beta(\epsilon(k)-\mu-A)})^{-1}?
[/mm]
mfg piccolo
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(Mitteilung) Reaktion unnötig  | | Datum: | 16:21 Fr 29.07.2011 | | Autor: | matux |
$MATUXTEXT(ueberfaellige_frage)
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